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VLF302512MT 1R0N-SMD电感
VLF302512MT1R0N-SMD电感SMD电感（线圈）电源线（绕线，磁屏蔽）随着VLF302512MT系列，DC-DC转换器与topclass大小相似产品的电压转换效率通过优化的磁性物质和配置。这些产品在开关作为扼流圈使用的最佳如需要节省空间的移动设备的电源设计。VLF302512MT1R0N特点如下：•微型尺寸面积：3.0×2.5低调：1.2以下。高度•通用使用
2012-11-6详情
74LVQ11MTR-三重3输入与门
74LVQ11是一个低电压CMOS三重3输入与门亚微米制造硅栅和双层金属布线C2MOS技术。它是理想的低功耗和低噪音3.3V应用。内部电路是由3个阶段包括缓冲输出，从而使高噪声免疫力和稳定的输出。所有输入和输出都配备了防止静电放电保护电路，让他们2KV的静电放电抗扰度和瞬态过剩电压。高速：TPD=4.7ns（典型值）VCC=3.3V兼容TTL输出低功耗：ICC=2毫安（最大值）在TA=25℃低噪声：V
2012-11-6详情
TDA9898-多标准混合中频处理
集成电路（IC）是适用于中频（IF）处理，包括全球多标准的模拟电视（ATV），数字视频广播（DVB）和单声道调频收音机使用只有1个IC和1至3个固定的表面声波（锯）（取决于应用）。TDA9898包括L和L-口音标准。TDA9897没有L和L-口音标准TDA9898-多标准混合中频处理的特点：5V电源电压I2C总线控制的所有功能提供4个I2C总线地址;可编程模块地址（MAD）的的选择三个I2C总线电
2012-11-6详情
DRV8301-三相双电流分流放大器和降压稳压器的预驱动器
DRV8301-三相双电流分流放大器和降压稳压器的预驱动器DRV8301是一个三相栅极驱动器IC电机驱动应用。它提供了3个半桥驱动程序，每一个能够驱动两个N型高侧和低的MOSFET，方。它支持高达2.3A水槽和1.7A源峰值电流能力，只需要一个电源供应8日至60V的范围很宽。DRV8301使用滴入引导栅极驱动器充电电路，支持100％占空比。门驱动程序使用自动握手偏高的时候FET或低侧FET开关，以防止电流射穿。VDS检测的场效应管保护在外部电源的过电流条件下的阶段。DRV
2012-11-5详情
LMV331-Q1-通用低电压比较器
LMV331-Q1-通用低电压比较器LMV393-Q1器件是一个低电压（2.7V至5.5V）的双核和四比较器LM393的版本和LM339，经营5V至30VLMV331-Q1是比较单一版本。LMV331-Q1和LMV393-Q1是低电压应用的最具成本效益的的解决方案操作，低功耗，节省空间和价格是在电路设计为便携式的主要规格消费类产品。这些器件可提供规格，达到或超过了熟悉的LM339和LM393的设备的电源电流的一小部分。LMV331
2012-11-5详情
TS5218CQRF-启用800毫安超低压差稳压器
TS5218CQRF-启用800毫安超低压差稳压器TS5218是800毫安超低压差线性稳压器提供低电压，高电流输出一个非常小的封装。这些稳压器提供了非常低的压降（通常在800毫安为400mV）和非常低的接地电流（典型值800毫安12毫安）。TS5218是充分保护，以防止过电流故障，输入极性颠倒，颠倒插入铅，过操作温度，正面和负面的瞬态电压尖峰，逻辑电平使能控制。应用●ULDO线性稳压器为PC附加卡●Pow
2012-11-5详情
RT9607/A-Dual通道同步整流降压MOSFET驱动器
RT9607/A-Dual通道同步整流降压MOSFET驱动器RT9607/A是双电源沟道MOSFET驱动器专门设计的驱动器在四个功率N-MOSFET的同步整流降压转换器拓扑结构。这些立锜的一系列多相结合的驱动程序降压PWM控制器提供了一个完整的核心电压稳压器解决方案先进的微处理器。RT9607/A可以提供灵活的门为驾驶高侧和低侧驱动器。这使更多的灵活性MOSFET的选择。部分输出驱动器驱动一个3NFcapble30/40ns负载的上升/下降时间
2012-11-5详情
HDBL101G-1.0AMP玻璃钝化高效整流桥
HDBL101G-1.0AMP玻璃钝化高效整流桥特点：1.Green复合包装上的“G”后缀2.code及前缀的“G”上的日期代码3。高浪涌电流能力4，高温度焊接保证：260℃/10秒/0.375“（9.5毫米）领导长度在5磅，（2.3公斤）拉力5.Reliable低的成本建设利用成型塑料技术6.Ideal为印刷电路板7.Glass钝化结8.UL识别的文件
2012-11-5详情
BZY55C2V4-500MW,5%的容差贴片稳压二极管
BZY55C2V4:500MW,5%的容差贴片稳压二极管1.宽齐纳电压选择范围：2.4V至36V2.表面设备安装3.湿度灵敏性水平14.雾锡（Sn）与镍（Ni）underplate率先完成5.无铅版本，并符合RoHS标准6.无卤素机械数据案例：0805标准封装，注塑终端：雾锡电镀，无铅，可焊性。根据MIL-STD-202方法208保证
2012-11-5详情
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