代理SI2302CDS-T1-GE3进口原装现货

数据列表 SI2302CDS;_

标准包装 3，000

包装 标准卷带

零件状态 有源

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个

系列 TrenchFET?

其它名称 SI2302CDS-T1-GE3TR

SI2302CDST1GE3

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 57 毫欧 @ 3.6A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 850mV @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 5.5nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±8V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 710mW（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3