时间：2020-7-10 11:45:00
数据列表 SI2302CDS;_
标准包装 3，000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 TrenchFET?
其它名称 SI2302CDS-T1-GE3TR
SI2302CDST1GE3
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 57 毫欧 @ 3.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 850mV @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 5.5nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±8V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 710mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-Channel 20 V (D-S) MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 |  |   | |
N-Channel 20 V (D-S) MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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