该NCP5355是一个双MOSFET栅极驱动器驱动优化盖茨都高,低侧输出功率是在同步MOSFET降压转换器。 NCP5355是一个很好的伴侣多相控制器没有集成的栅极驱动器,如安森美半导体的NCP5314和NCP5316。这种架构由于能够提供电源设计者更大的灵活性找到附近的栅极驱动器的MOSFET。具有12 V源驱动的MOSFET,而不是一个5.0 V可显着减少传导损耗。内部优化,自适应非重叠电路,防止进一步降低开关损耗同时导通两个MOSFET。浮顶的驱动器设计可容纳MOSFET的漏极五,电压高达26门输出都可以驱动低高应用水平低的逻辑使能(EN)引脚。欠压锁定功能,确保这两个驱动器输出为低时,供电电压低,热关机功能提供了IC与过热保护。该NCP5355具有与NCP5351引脚与V 5.0栅极驱动器。
特点
•8.0的V - 14 V的栅极驱动能力
•2.0一个峰值驱动电流
•上升和下降时间<15纳秒到3300 pF的典型
•传输延迟从投入与产出“30纳秒
•自适应非重叠大型功率MOSFET优化时间
•浮动顶部驱动可容纳最多至26 V的应用
•欠压锁定功能防止当输入开关 电压低
•防止过热的热关断保护
•Tg向DRN上拉下拉电阻防止高压供给诱导 开启MOSFET的顶
•保函到PGND上拉下拉电阻可防止转向瞬态 下面的MOSFET
•内置自举二极管减少了部件数量和总 解决方案的成本
NCP5355-12 V同步降压功率MOSFET驱动器
时间:2013-2-26 15:26:00
该NCP5355是一个双MOSFET栅极驱动器驱动优化盖茨都高,低侧输出功率是在同步MOSFET降压转换器。NCP5355是一个很好的伴侣多相控制器没有集成的栅极驱动器,如安森美半导体的NCP5314和NCP5316。这种架构由于能够提供电源设计者更大的灵活性找到附近的栅极驱动器的MOSFET。具有12V源驱动的MOSFET,而不是一个5.0V可显着减少传导损耗。内部优化,自适应非重叠电路,
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2024-4-26 16:44:00
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