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MMBT5551LT1中文资料

MMBT5551LT1
厂家型号

MMBT5551LT1
文件大小

199.8Kbytes
页面数量

6页
功能描述

High Voltage Transistors

两极晶体管 - BJT 600mA 160V NPN
数据手册

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生产厂商

MOTOROLA

相近规格书

MMBT5551LT1数据手册规格书PDF详情

High Voltage Transistors

NPN Silicon

MMBT5551LT1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMBT5551LT1

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 600mA 160V NPN

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

MMBT5551LT1供应商...

更新时间：2025-10-18 16:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市乐创天科技有限公司
MMBT5551LT1G
ON
2012
SOT23
208
全新原装 正品现货
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标准国际(香港)有限公司
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讯运(深圳/上海)电子有限公司
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深圳市科雨电子有限公司
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正迈科技原装现货授权代理主营:IC电容.二三级管原装
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MMBT5551LT1G 价格

参考价格：￥0.1036

型号：MMBT5551LT1G 品牌：ONSemi 备注：这里有MMBT5551LT1多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MMBT5551LT1批发/采购报价，MMBT5551LT1行情走势销售排排榜，MMBT5551LT1报价。

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