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MMBT5551LT1价格

参考价格：￥0.1036

型号：MMBT5551LT1G 品牌：ONSemi 备注：这里有MMBT5551LT1多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MMBT5551LT1批发/采购报价，MMBT5551LT1行情走势销售排行榜，MMBT5551LT1报价。

型号	功能描述	生产厂家&企业
MMBT5551LT1	HighVoltageTransistors HighVoltageTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司
MMBT5551LT1	HighVoltageTransistors(NPNSilicon) HighVoltageTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMBT5551LT1	HighVoltageTransistors(NPNSilicon) HighVoltageTransistors NPNSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
MMBT5551LT1	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:180V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	AVICTEK Avic Technology
MMBT5551LT1	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheMMBT5551LT1isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighBreakdownVoltages.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd
MMBT5551LT1	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR HIGHVOLTAGETRANSISTOR ●CollectorDissipation:Pc-225mW(Ta=25°) ●Collector-EmillerVoltage:VCEO=160V	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司
MMBT5551LT1	HighVoltageTransistors 文件：97.56 Kbytes Page：6 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMBT5551LT1G	HighVoltageTransistors HighVoltageTransistors NPNSilicon Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMBT5551LT1_15	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR 文件：153.2 Kbytes Page：2 Pages	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司
MMBT5551LT1G	HighVoltageTransistorsNPNSilicon 文件：127.52 Kbytes Page：6 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMBT5551LT1G	封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMBT5551LT1G	HighVoltageTransistors 文件：97.56 Kbytes Page：6 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
LMBT5551LT1	HighVoltageTransistors 文件：114.47 Kbytes Page：5 Pages	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
LMBT5551LT1G	HighVoltageTransistors 文件：114.47 Kbytes Page：5 Pages	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
LMBT5551LT1G	HighVoltageTransistorsRoHSrequirements. 文件：135.91 Kbytes Page：5 Pages	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司

MMBT5551LT1产品属性

类型
描述
型号
MMBT5551LT1
功能描述
两极晶体管 - BJT 600mA 160V NPN
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
VCBO
集电极—发射极最大电压
VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO
- 6 V
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
Min
100 A
安装风格
SMD/SMT
封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2

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更新时间：2025-7-23 19:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市华睿芯科技有限公司	MMBT5551LT1G	ON	24+	SOT-23	20000	全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！	询价
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深圳市弘扬芯城科技有限公司	MMBT5551LT1G	ON(安森美)	2024+	SOT-23-3T	500000	诚信服务,绝对原装原盘	询价
深圳市博科胜电子有限公司	MMBT5551LT1G	ON	22+	SOT-23	8900	全新正品现货有挂就有现货	询价
深圳市富利微电子科技有限公司	MMBT5551LT1G	ON	24+	SOT-23	30000	原装正品公司现货,假一赔十!	询价
深圳市润联芯城科技有限公司	MMBT5551LT1G	ON	23+	SOT-23	50000	只做原装正品	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	MMBT5551LT1G	ON	20+	SOT23	49000	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市联世界科技有限公司	MMBT5551LT1G	ON	24+/25+		26272	原装正品现货库存价优	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	MMBT5551LT1G	ON	24+	SMD	20000	一级代理原装现货假一罚十	询价
深圳市冠亿通科技有限公司	MMBT5551LT1G	ON/安森美	25+		25000	原厂原包深圳现货主打品牌假一赔百可开票!	询价

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MMBT5551LT1G 是安森美半导体推出的一款 NPN 型硅高压晶体管，采用 SOT-23 封装，符合 AEC-Q101 要求，适用于汽车、工业等领域。
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MMBT9013G-SOT23.3R-H-TG_UTC代理商
MMBT9013G-SOT23.3R-H-TG_UTC代理商
2023-2-15
MMBT5551G-SOT23.3R-C-TG_UTC代理商
MMBT5551G-SOT23.3R-C-TG_UTC代理商
2023-2-8
MMBT6520LT1G
原装代理
2022-6-18
MMBT5551-7-F全新原装现货
MMBT5551-7-F集电极—发射极很大电压VCEO:160V 集电极—基极电压VCBO:180V 发射极-基极电压VEBO:6V 集电极—射极饱和电压:200mV 很大直流电集电极电流:600mA Pd-功率耗散:300mW 增益带宽产品fT:300MHz
2022-3-22
MMBT5551 支持原装现货订货型号 SOT-23
MMBT5551CJ/长电SOT-23
2021-4-22

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