MMBT5551LT1G价格

参考价格:¥0.1036

型号:MMBT5551LT1G 品牌:ONSemi 备注:这里有MMBT5551LT1G多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,MMBT5551LT1G批发/采购报价,MMBT5551LT1G行情走势销售排行榜,MMBT5551LT1G报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MMBT5551LT1G

HighVoltageTransistors

HighVoltageTransistors NPNSilicon Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBT5551LT1G

HighVoltageTransistorsNPNSilicon

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MMBT5551LT1G

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

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HighVoltageTransistors

HighVoltageTransistors NPNSilicon

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Motorola

HighVoltageTransistors(NPNSilicon)

HighVoltageTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable

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LRCLeshan Radio Company

乐山无线电乐山无线电股份有限公司

LRC

HighVoltageTransistorsRoHSrequirements.

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MMBT5551LT1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMBT5551LT1G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 600mA 160V NPN

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-7-31 20:55:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
21+
SOT-23-3
8080
只做原装,质量保证
ON/安森美
24+
SOT-23-3
33500
全新进口原装现货,假一罚十
ON(安森美)
23+
SOT-23(SOT-23-3)
11303
公司只做原装正品,假一赔十
ONSEMI
23+
晶体三极管/NPN/160V/0.6
50852
正迈科技原装现货授权代理主营:IC电容.二三级管原装
ON
23+
SOT-23
2900
只做原装全系列供应价格优势
ON
24+
SOT23
980000
一级代理/全新原装现货/长期供应!
ON(安森美)
24+
SOT-23(SOT-23-3)
9048
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
ON
23+
SOT-23
113400
ON/安森美
24+
SOT-23
50000
进口原装现货
ON/安森美
22+
SOT-23
8000
原装正品现货假一罚十

MMBT5551LT1G芯片相关品牌

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  • ARCH
  • CEL
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