MMBT5551LT1G价格

参考价格:¥0.1036

型号:MMBT5551LT1G 品牌:ONSemi 备注:这里有MMBT5551LT1G多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,MMBT5551LT1G批发/采购报价,MMBT5551LT1G行情走势销售排行榜,MMBT5551LT1G报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MMBT5551LT1G

HighVoltageTransistors

HighVoltageTransistors NPNSilicon Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

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MMBT5551LT1G

HighVoltageTransistorsNPNSilicon

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MMBT5551LT1G

HighVoltageTransistors

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MMBT5551LT1G

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

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HighVoltageTransistors NPNSilicon

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola

HighVoltageTransistors(NPNSilicon)

HighVoltageTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable

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LRCLeshan Radio Co., Ltd

乐山无线电乐山无线电股份有限公司

LRC

HighVoltageTransistorsRoHSrequirements.

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乐山无线电乐山无线电股份有限公司

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MMBT5551LT1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMBT5551LT1G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 600mA 160V NPN

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2024-4-30 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
20+
SOT-23
2584
全新原装现货
ON
2016+
SOT23
3000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
ON
23+
SOT23
20000
全新原装假一赔十
ON
2020+
SOT-23
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
ON
21+
SOT-23
8800
公司只做原装正品
ONSEMI/安森美
24+
SOT-23
98000
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
ON
23+
SOT-23
20000
原厂原装正品现货
ON/安森美
21+
SOT-23
600000
航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴!
onsemi(安森美)
23+
SOT23
6000
ON/安森美
23+
SOT-23-3
20000
热卖优势现货

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