NTBG040N120M3S MOSFET

发布企业:深圳市鑫远鹏科技有限公司时间:2024-4-10 14:11:00

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onsemi 的 M3S MOSFET 通过 18 V 栅极驱动实现峰值效率,并在 15 V 下保持令人满意的性能
NTBG040N120M3S

onsemi 1200 V M3S 碳化硅 (SiC) MOSFET 利用平面技术在负栅极电压和瞬态栅极电压偏移下实现稳健运行。它通过 18 V 栅极驱动实现峰值效率,但在 15 V 下保持令人满意的性能。

特性

具有开尔文源极配置的 D2PAK-7L 封装

优秀的品质因数 (FOM) (= RDS(ON) x EOSS)

超低栅极电荷 (QG(tot) = 75 nC)

低电容高速开关 (Coss = 80pF)

15 V 至 18 V 栅极驱动

M3S 技术:40 mΩ RDS(ON),低 EON 和 EOFF 损耗

100%_通过雪崩测试

无卤素且符合 RoHS 规范

应用

工业

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40mohm, 1200V, M3S, D2PAK-7L

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40 mohm, 1200V, M3S, TO-247-3L

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2025-8-14 23:00:00
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onsemi(安森美)
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