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NTCR040N120M3S中文资料

厂家型号

NTCR040N120M3S

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8

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, Die

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NTCR040N120M3S数据手册规格书PDF详情

Features

• Typ. RDS(on) = 40 m @ VGS = 18 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 75 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 80 pF)

Applications

• Solar Inverters

• Electric Vehicle Charging Stations

• Uninterruptible Power Supplies (UPS)

• Energy Storage Systems

• Switch Mode Power Supplies (SMPS)

更新时间:2026-2-6 14:55:00
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