制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 12 A
Rds On-漏源导通电阻: 620 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 44.2 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 W
通道模式: Enhancement
商标名: MDmesh
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 18.5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 11 ns
系列: STP12N120K5
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 68.5 ns
典型接通延迟时间: 23 ns
单位重量: 2 g
