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STP12N65M2

N-channel 650 V, 0.42 typ., 8 A MDmeshTM M2 Power MOSFET in a TO-220 package

Features  Extremely low gate charge  Excellent output capacitance (COSS) profile  100 avalanche tested  Zener-protected Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh™ M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the devi

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意法半导体

STP12N65M2

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:POWER MOSFET 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

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Extremely low gate charge

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Extremely low gate charge

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更新时间:2025-8-11 15:35:00
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