NCE30H10G

时间:2021-7-19 12:16:00

NCE30H10G

NCE30H10G_NCEP40T15A导读

针对这种需求,新洁能生产出内阻小,抗过电流能力好的N沟道沟槽工艺MOS管——NCE80H12,NCE80H12的导通电阻小于6mΩ,输出电流可达120A,电机扭矩较好,。

上面就是功率mos管NCE80H12的规格书,我们电动车控制器上用的功率mos管NCE80H12其实和平常cmos集成电路中的小功率mos结构是不一样的。

NCE30H10G_NCEP40T15A

NCE30ND07AS

NCE3019AS NCE3045G NCE3400AY NCE30ND07S NCE8601B 。

NCE80TD65BT NCE80TD65BP NCE60TD120UT NCE75TD120BT NCE75TD120VT 。

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。

NCE50TD120WT NCE40TD120T NCE40TD120BT NCE40TD120WT NCE40TD120LT 。

NCE30H10G_NCEP40T15A

NCE60P04S

NCE2060K NCE2090K NCE20H11K NCE20H18 NCE20H20 。

MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管型号和增强型的P沟道MOS管型号,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。

它可以用于多种应用。描述所述NCE3095K 采用先进的沟槽技术和设计,以提供优秀的研发DS(ON)具有低栅极电荷。

一般特征 ● V DS = 30V,I D = 95A R DS(ON) <5.1mΩ@ V GS = 10V R DS(ON) <8.5mΩ@ V GS = 5V ● 高密度电池设计,超低Rdson ● 全面表征雪崩电压和电流 ● 良好的稳定性和均匀性高? AS ● 出色的封装,散热效果好。

NCE30H10G_NCEP40T15A

NCE3401的性能参数表现还是不错的,适用于作负载开关或脉宽调制应用,阻抗值也比较低,而且新洁能MOS管已具备屏蔽栅功率和超结功率MOSFET特色工艺技术,其部分产品的参数性能与送样表现,可以与国外的MOS管相差无几,比如同样用在锂电池保护板中,NCE3401,AO3401,IRLML5203TR,DMP3098L-7,我认为相比较来看功能可以满足,并且价格适中的NCE3401更加合适。

MOS管NCE3401是一款-30V漏源电压,4.2A电流,SOT-23封装的P沟道MOS管。。

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