NCE30H11G_NCEP40T17A导读
台积电是只有代工，没有自己品牌IC产品的。三星和英特尔都有自己品牌的IC产品，但也为其它企业代工。世界上也有一些IC企业，在特定的行业里市场占有率高，而IC工厂的制程工艺并不高，成本也不高，这些企业是不用给别家代工的，自己生产自己设计的IC就够。
而电动车上上用的功率mos是立体结构。我们所见的mos管，其实内部由成千上万个小mos管并联而成，大家可能会想成千上万个小mos应该很容易出现一个或几个坏的吧，其实真没那么容易，目前的制造工艺基本保证了这些小单位各种参数高度一致性。小功率mos是平面型结构。
NCE30H11G_NCEP40T17A
NCE15TD135LT
NCEB301G NCE3065G NCE30H14K NCE3095K NCE3065Q 。
NCE3019AS NCE3045G NCE3400AY NCE30ND07S NCE8601B 。
NCE2025I NCE2025S NCE2030K NCE2030U NCE2030 。
NCE75TD120WT NCE50TD120BP NCE50TH120BP NCE50TD120BT NCE50TD120VT 。
NCE30H11G_NCEP40T17A
NCEP40P80K
MOS管3306产品主要参数漏源极电压：60V 栅源电压：±25V 连续漏电流：80A/60A 脉冲漏电流：300A 雪崩电流：21.5A 雪崩能量：462.25MJ。
一般特征 ● V DS = 30V，I D = 95A R DS（ON） <5.1mΩ@ V GS = 10V R DS（ON） <8.5mΩ@ V GS = 5V ● 高密度电池设计，超低Rdson ● 全面表征雪崩电压和电流 ● 良好的稳定性和均匀性高? AS ● 出色的封装，散热效果好。
MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管型号和增强型的P沟道MOS管型号，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
NCE2012 NCE20H10G NCE20H11 NCE3406N NCE2014ES 。
NCE30H11G_NCEP40T17A
电芯相当于锂电池的心脏，而锂电池保护板主要由保护芯片（或管理芯片）、MOS管、电阻、电容和PCB板等构成。
而在锂电池保护板中重要的就是保护芯片和MOS管。
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