STN9926

时间:2021-11-26 16:47:00

STN9926

STN9926_FDS6900AS-NL导读

根据不通电情况下反型层是否存在,MOS管可分为增强型、耗尽型——。场效应管分为结型、绝缘栅型,其中绝缘栅型也称MOS管(Metal Oxide Semiconductor)。功率半导体的核心是PN结,从二极管、三极管到场效应管,都是根据PN结特性所做的各种应用。

日前,Vishay Intertechnology, Inc. 宣布,推出温度系数(TCR)低至 2 ppm/K,0603、0805和1206外形尺寸新型器件,扩充其TNPU e3系列汽车级高精度薄膜扁平片式电阻。

STN9926_FDS6900AS-NL

F7313

BYF32038 BYP32036 BYS32042 BYH32085A BYP32091A 。

BYN41020A BYM41019A BYM41063 BYM429 。

BYP3104 BYF31010A BYP31013A BYS31010A BYH31055 。

BYN3210 BYM3210 BYM326 BYM3226A BYP326 。

STN9926_FDS6900AS-NL

MDC0531EURH

BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。

BYM438 BYS441 BYN4458 BYE4625Z BYM4612 。

BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。

BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。

STN9926_FDS6900AS-NL

NCE25TD135LT NCE15TD135LT NCE15TD120LP NCE15TD135LP NCE25TD120LP 。

电芯相当于锂电池的心脏,而锂电池保护板主要由保护芯片(或管理芯片)、MOS管、电阻、电容和PCB板等构成。

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The STN9926 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology.

STANSONStanson Technology

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The STN9926AA is the Dual N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology.

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd.

捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司

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Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

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Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

6A竊?0V Dual N-CHANNEL MOSFET

KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd

可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司

KIA

Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

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Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

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