TAJD337M010RNJ_TAJD337M010RNJ导读
在图1我们看到D极和S极之间存在着一个二极管，这个二极管叫寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构，漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向，没有这个二极管。在网上查了一番资料才知道，它是由生产工艺造成的，大功率MOS管漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。MOS的寄生二极管怎么来的呢?翻开大学里的模拟电路书里面并没有寄生二极管的介绍。
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TAJD476K016RNJ
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存在导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。 IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。MOS管和IGBT的结构特点 MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能会慢于MOSFET，因为IGBT存在关断拖尾时间，由于IGBT关断拖尾时间长，死区时间也要加长，从而会影响开关频率。
040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。
SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。
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TAJB105M035RNJ
P沟道的源极S接输入，漏极D导通输出，N沟道相反说白了给箭头方向相反的电流就是导通，方向相同就是截止。
051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。
060322R5%_0603270K5%_0603270R5%_060327K5%_0603330R5%_。
MOS集成电路包括: NMOS管组成的NMOS电路、PMOS管组成的PMOS电路及由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。 PMOS门电路与NMOS电路的原理完全相同，只是电源极性相反而已。
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NCE8205B NCE8205 NCE8205i NCE8205E NCE9926 。
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