TAJC686K006RNJ

时间:2022-4-26 21:49:00

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MOS管在硬件设计中经常使用到,下面是N型MOS管,包括栅极G,源极S,漏级D。

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TAJB686M010RNJ

060310R5%_060312K5%_060315K1%_060315K5%_0603180K5%_。

IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。另外,相似功率容量的IGBT和MOSFET,IGBT的速度可能会慢于MOSFET,因为IGBT存在关断拖尾时间,由于IGBT关断拖尾时间长,死区时间也要加长,从而会影响开关频率。 IGBT的理想等效电路如下图所示,IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合,MOSFET存在导通电阻高的缺点,但IGBT克服了这一缺点,在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。MOS管和IGBT的结构特点 MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。

SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。

BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。

TAJC686K006RNJ_TAJC686K006RNJ

TAJB336K004RNJ

PMOS门电路与NMOS电路的原理完全相同,只是电源极性相反而已。MOS集成电路包括: NMOS管组成的NMOS电路、PMOS管组成的PMOS电路及由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路,即CMOS电路。

BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。

BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。

060322R5%_0603270K5%_0603270R5%_060327K5%_0603330R5%_。

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NCE25TD135LT NCE15TD135LT NCE15TD120LP NCE15TD135LP NCE25TD120LP 。

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