TAJB225M016RNJ_TAJB225M016RNJ导读
今天给大家介绍一款适用于锂电池保护板可替代AO3401等MOS管的国产场效应管:NCE3401。
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TAJB474K035RNJ
。IGBT的结构 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。
IGBT的理想等效电路如下图所示,IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合,MOSFET存在导通电阻高的缺点,但IGBT克服了这一缺点,在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。 IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。另外,相似功率容量的IGBT和MOSFET,IGBT的速度可能会慢于MOSFET,因为IGBT存在关断拖尾时间,由于IGBT关断拖尾时间长,死区时间也要加长,从而会影响开关频率。MOS管和IGBT的结构特点 MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。
060310R5%_060312K5%_060315K1%_060315K5%_0603180K5%_。
TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。
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TLJS476M010R1500
TAJA105M016RNJ TAJA105M020RNJ TAJA105M025RNJ TAJA105M035RNJ TAJA105M050RNJ TAJA106K004RNJ TAJA106K006RNJ TAJA106K010RNJ TAJA106K016RNJ TAJA106M004RNJ 。
051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。
BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。
0603180R5%_06031M5%_06032.2K5%_0603220R5%_060322K5%_。
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总的来说,MOSFET优点是高频特性好,可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz,缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大;而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越,其导通电阻小,耐压高。
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