TAJB225M025RNJ_TAJB225M025RNJ导读
IGBT非常适合应用于如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT内部的体二极管并非寄生的，而是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的，又称为FWD（续流二极管）。判断IGBT内部是否有体二极管也并不困难，可以用万用表测量IGBT的C极和E极，如果IGBT是好的，C、E两极测得电阻值无穷大，则说明IGBT没有体二极管。
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TAJA155M010RNJ
057N08N 057N08NS 05852- 06000,, 06031.5K5%_。
FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。
MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性，在电路中，可以用作放大器、电子开关等用途。 2）、防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。关于寄生二极管的作用，有两种解释： 1）、MOSFET的寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。
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049N03MS 04N50C3 04N60C2 04N80C3 04-OC-TLAS03 。
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BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。
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