2SC3356
TRANSISTOR(NPN)
FEATURES
Power dissipation
PCM: 0.2 W (Tamb=25℃)
Collector current
ICM: 0.1 A
Collector-base voltage
V(BR)CBO: 20 V
Operating and_storage junction temperature range
TJ， Tstg: -55℃ to +150℃
2SC3356
发布企业：深圳市晨豪科技有限公司时间：2021-3-23 5:29:00
企业：深圳市晨豪科技有限公司
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微信：87680558
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HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 | | ||
NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | | ||
NPN Silicon Epitaxial Transistor | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司 | | ||
isc Silicon NPN RF Transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | ||
High-Frequency Amplifier Transistor NPN Silicon | WEITRON Weitron Technology | | ||
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 | | ||
NPN Silicon RF Transistor | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | ||
SOT-23 | GSMEGuilin Strong Micro Electronics Co., Ltd. 桂微桂林斯壮桂微电子有限责任公司 | |
2025-11-12 13:10:00
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