2SC3356

发布企业:深圳市晨豪科技有限公司时间:2021-3-23 5:29:00

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2SC3356

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES

Power dissipation

PCM: 0.2 W (Tamb=25℃)

Collector current

ICM: 0.1 A

Collector-base voltage

V(BR)CBO: 20 V

Operating and_storage junction temperature range

TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER(NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR)

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

TRANSISTOR (NPN)

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

NPN Silicon Epitaxial Transistor

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

isc Silicon NPN RF Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

High-Frequency Amplifier Transistor NPN Silicon

WEITRON

Weitron Technology

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

NPN Silicon RF Transistor

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

SOT-23

GSMEGuilin Strong Micro Electronics Co., Ltd.

桂微桂林斯壮桂微电子有限责任公司

2025-9-26 15:24:00
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