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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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2SC3356R-G | GeneralPurposeTransistor Features -Lownoiseandhighgain. -Highpowergain. -Designedforlownoiseamplifier. | COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司 |  |   |
MICROWAVELOWNOISEAMPLIFIER(NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR) DESCRIPTION The2SC3356isanNPNsiliconepitaxialtransistordesignedforlownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband. Ithasdynamicrangeandgoodcurrentcharacteristic. FEATURES •LowNoiseandHighGain NF=1.1dBTYP.,Ga=11dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz •High | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | | |
iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ·LowNoiseandHighGain NF=1.1dBTYP.,Ga=11dBTYP. @VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz ·HighPowerGain MAG=13dBTYP. @VCE=10V,IC=20mA,f=1.0GHz APPLICATIONS ·DesignedforlownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
NPNSiliconEpitaxialTransistor Features ●Lownoiseandhighgain. NF=1.1dBTyp.,Ga=11dBTyp.@VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz ●Highpowergain. MAG=13dBTyp.@VCE=10V,IC=20mA,f=1.0GHz | KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司 |  | | |
High-FrequencyAmplifierTransistorNPNSilicon FEATURES *LownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband. *LowNoiseandHighGain *HighPowerGain | WEITRONWEITRON 威堂電子科技 |  | | |
NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor FEATURES •PowerDissipation •RoHSCompliantProduct | SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
蓝箭 |
23+ |
NA/ |
490 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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蓝箭 |
SOT-23 |
608900 |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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NEC |
SOT-23 |
2300 |
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ST(意法) |
23+ |
N/A |
589610 |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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2SC3356-T |
8460 |
8460 |
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COMCHIP-典琦 |
24+25+/26+27+ |
SOT-23.贴片 |
57500 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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NEC |
2023+ |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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蓝箭 |
21+ |
SOT-23 |
2600 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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蓝箭 |
2023+ |
SOT-23 |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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NEC |
2020+ |
SOT-23 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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