FDS6675BZ
规格信息：
制造商:ON Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SO-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:11 A
Rds On-漏源导通电阻:10.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:25 V
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.5 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:PowerTrench
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:1.75 mm
长度:4.9 mm
系列:FDS6675BZ
晶体管类型:1 P-Channel
类型:MOSFET
宽度:3.9 mm
商标:ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值:34 S
下降时间:60 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:7.8 ns
工厂包装数量:2500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:120 ns
典型接通延迟时间:3 ns
单位重量:130 mg
