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NTPF165N65S3H

MOSFET - Power, N?륝hannel, SUPERFET III, FAST 650 V, 165 m, 19 A

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ONSEMI

安森美半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 19A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 165mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

ISC

无锡固电

MOSFET - Power, N?륝hannel, SUPERFET III, FAST

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ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-6 17:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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原厂原封
1000
订货1周 原装正品
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22+
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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