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FCP165N65S3中文资料

厂家型号

FCP165N65S3

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功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

FCP165N65S3数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current : ID= 19A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage

: VDSS= 650V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 165mΩ(Max) @ VGS= 10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

更新时间:2025-10-14 9:12:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
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8357
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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