型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NTP30N06

Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts

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ONSEMI

安森美半导体

NTP30N06

MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts, Logic Level

Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts, Logic Level, N−Channel TO−220 and D2PAK Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. Features • Pb−Free Packages are Available Typical Applications • Power Supplies • Co

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts, Logic Level

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET

文件:90.72 Kbytes Page:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.31343 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Power MOSFET

文件:90.72 Kbytes Page:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

TMOS POWER FET 30 AMPERES 60 VOLTS

TMOS V™ Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on)= 0.18 OHM TMOSV is a new technologydesigned to achieve an on–resistance area product about one–half that of standard MOSFETs. This new technology more than doubles th

MOTOROLA

摩托罗拉

TMOS POWER FET 30 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.050 OHM

TMOS V™ Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on)= 0.18 OHM TMOSV is a new technologydesigned to achieve an on–resistance area product about one–half that of standard MOSFETs. This new technology more than doubles th

MOTOROLA

摩托罗拉

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.045 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ LOW GATE CHARGE ■ HIGH CURRENT CAPABILITY ■ 175°C OPERATING TEMPERATURE ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION APPLICA

STMICROELECTRONICS

意法半导体

60V N-Channel MOSFET

文件:663.34 Kbytes Page:9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

60V N-Channel MOSFET

文件:663.34 Kbytes Page:9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

NTP30N06产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTP30N06

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2026-3-14 16:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
2450+
TO220
9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
ON Semiconductor
22+
TO2203
9000
原厂渠道,现货配单
ON
TO-220
68500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
ON/安森美
25+
TO220
860000
明嘉莱只做原装正品现货
ON(安森美)
2511
5904
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
ON/安森美
25+
TO-262
50000
全新原装正品支持含税
ON
24+
TO-220
25150
O
24+
TO-220A
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
ON
2023+
TO-220
50000
原装现货
ON/安森美
2447
TO-220
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货

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