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NTMFD016N06C | MOSFET - Power, Dual N-Channel, DUAL SO8FL 60 V, 16.3 m, 32 A 文件：225.64 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NTMFD016N06C | Power MOSFET Power, N-Channel, DUAL SO8FL, 60 V, 16.3 mΩ, 32 A | ONSEMI 安森美半导体 | | |
MOSFET - Power, Dual N-Channel, DUAL SO8FL 60 V, 16.3 m, 32 A 文件：225.64 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
OptiMOSTM Power-MOSFET, 60 V Features • Double side cooled package-with lowest Juntion-top thermal resistance • 175°C rated • Optimized for synchronous rectification • 100 avalanche tested • Superior thermal resistance • N-channel • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21 • High | Infineon 英飞凌 | | ||
New OptiMOS??40V and 60V 文件：1.02174 Mbytes Page：2 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOSTM Power-MOSFET 文件：610.8 Kbytes Page：10 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOSTM Power-MOSFET, 60 V 文件：1.41665 Mbytes Page：13 Pages | Infineon 英飞凌 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
15 |
100 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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ONSEMI/安森美 |
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2019-1-7
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