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BSC016N06NST

OptiMOSTM Power-MOSFET, 60 V

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Infineon

英飞凌

OptiMOSTM Power-MOSFET, 60 V

Features • Double side cooled package-with lowest Juntion-top thermal resistance • 175°C rated • Optimized for synchronous rectification • 100 avalanche tested • Superior thermal resistance • N-channel • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21 • High

Infineon

英飞凌

New OptiMOS??40V and 60V

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Infineon

英飞凌

OptiMOSTM Power-MOSFET

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Infineon

英飞凌

MOSFET - Power, Dual N-Channel, DUAL SO8FL 60 V, 16.3 m, 32 A

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ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-9 12:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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5000
原装正品,提供BOM配单服务
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PG-TDSON-8
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英飞凌优势渠道全系列在售

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