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NTDV20P06L价格
参考价格：￥2.5322
型号：NTDV20P06LT4G 品牌：ON 备注：这里有NTDV20P06L多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NTDV20P06L批发/采购报价，NTDV20P06L行情走势销售排行榜，NTDV20P06L报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTDV20P06L | isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= -15.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 150mΩ(Max)@VGS= -5V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |   | |
NTDV20P06L | 单 P 沟道，逻辑电平，功率 MOSFET，60V，15.5A，150mΩ | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NTDV20P06L | Power MOSFET ??0 V, ??5.5 A, Single P?묬hannel, DPAK 文件：156.59 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= -15.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 150mΩ(Max)@VGS= -5V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
Power MOSFET ??0 V, ??5.5 A, Single P?묬hannel, DPAK 文件：119.94 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 文件：93.13 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：987.87 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Power MOSFET ??0 V, ??5.5 A, Single P?묬hannel, DPAK 文件：156.59 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 文件：93.13 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -14A, RDS(ON) =125mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RDS(ON) =175mW @VGS = -4.5V. Lead free product is acquired. | CET-MOS 华瑞 | | ||
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ -60V, -15A, RDS(ON) =105mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) =150mΩ @VGS = -4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package. | CET 华瑞 | | ||
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ -60V, -13A, RDS(ON) = 105mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) = 150mΩ @VGS = -4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-251 & TO-252 package. | CET 华瑞 | | ||
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：988.36 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：441.65 Kbytes Page：4 Pages | CET 华瑞 | |
NTDV20P06L产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTDV20P06L
- 功能描述
MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
-
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
ON/安森美 |
2025+ |
TO-252 |
3800 |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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23+ |
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正规渠道,只有原装! |
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23+ |
TO252 |
50000 |
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NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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标准封装 |
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原装，请咨询 |
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郑重承诺只做原装进口现货 |
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22+ |
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原装正品现货假一罚十 |
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ON |
09+PBF |
TO-252 |
10000 |
优势 |
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VB |
21+ |
DPAK |
10000 |
原装现货假一罚十 |
NTDV20P06L规格书下载地址
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