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NTDV20P06LT4G价格
参考价格:¥2.5322
型号:NTDV20P06LT4G 品牌:ON 备注:这里有NTDV20P06LT4G多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,NTDV20P06LT4G批发/采购报价,NTDV20P06LT4G行情走势销售排行榜,NTDV20P06LT4G报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NTDV20P06LT4G | Power MOSFET ??0 V, ??5.5 A, Single P?묬hannel, DPAK 文件:119.94 Kbytes Page:7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ||
NTDV20P06LT4G | Power MOSFET 文件:93.13 Kbytes Page:7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ||
NTDV20P06LT4G | P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件:987.87 Kbytes Page:8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | ||
Power MOSFET 文件:93.13 Kbytes Page:7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |||
P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= -60V, ID= -20A RDS(ON) | Bychip 百域芯 | |||
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NTDV20P06LT4G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTDV20P06LT4G
- 功能描述
MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
-
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
22048 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
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ON |
2016+ |
TO252-3 |
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只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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TO-252 |
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22+ |
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原装正品现货假一罚十 |
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24+ |
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