NTD2955T4G

时间:2022-7-28 16:53:00

NTD2955T4G

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-4

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 12 A

Rds On-漏源导通电阻: 180 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 15 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 55 W

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: onsemi

配置: Single

下降时间: 48 ns

正向跨导 - 最小值: 8 S

高度: 2.38 mm

长度: 6.73 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 45 ns

系列: NTD2955

工厂包装数量: 2500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 P-Channel

类型: MOSFET

典型关闭延迟时间: 26 ns

典型接通延迟时间: 10 ns

宽度: 6.22 mm

单位重量: 340 mg

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

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2025-8-2 14:16:00
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