NTD5865NLT4G数据表
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 46 A
Rds On-漏源导通电阻: 16 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 29 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 71 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 15 S
下降时间: 4.4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 12.4 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 8.4 ns
单位重量: 450 mg
