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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NTD2955G

??0 V, ??2 A, P?묬hannel DPAK

Power MOSFET −60 V, −12 A, P−Channel DPAK This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. Designed for low−voltage, high−speed switching applications in power supplies, converters, and power motor controls. These devices are particularly well suite

ONSEMI

安森美半导体

NTD2955G

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Load Switch

VBSEMI

微碧半导体

NTD2955G

Power MOSFET ??0 V, ??2 A, P?묬hannel DPAK

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ONSEMI

安森美半导体

NTD2955G

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

NTD2955G

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

NTD2955G

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

POWER TRANSISTORS(15A)

2N3055A(NPN) MJ15015(NPN) MJ2955A(PNP) NJ15016(PNP)

MOSPEC

统懋

POWER TRANSISTORS(10A,60V,75W)

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS.

MOSPEC

统懋

8-Bit Micro-controller

8-Bit Micro-controller with 16KB flash embedded

MOSEL

茂矽电子

POWER TRANSISTORS(15A,60V,90W)

15 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60 VOLTS 90 WATTS ..designed for use int general-purpose amplifier and switching application NPN -> TIP3055 PNP -> TIP2955

MOSPEC

统懋

POWER TRANSISTORS(15A,50V,115W)

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MOSPEC

统懋

NTD2955G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTD2955G

  • 功能描述

    MOSFET -60V -12A P-Channel

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-5-19 17:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
TO252
23+
6000
原装现货有上库存就有货全网最低假一赔万
ON
26+
TO-252
28610
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订
ON(安森美)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
ON
24+
SMD
5500
长期供应原装现货实单可谈
ON(安森美)
26+
NA
60000
只有原装 可配单
ON
25+
SOT252
3000
全新原装、诚信经营、公司现货销售
ON
25+23+
TO252
68925
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
ONS
25+
TO-252
90000
一级代理商进口原装现货、价格合理
ON
17+
TO-252
6200
ON(安森美)
23+
12730
公司只做原装正品,假一赔十

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