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位置：首页 > IC中文资料第1589页 > NTD20P06

NTD20P06价格

参考价格：￥1.1679

型号：NTD20P06LG 品牌：ON Semiconductor 备注：这里有NTD20P06多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NTD20P06批发/采购报价，NTD20P06行情走势销售排行榜，NTD20P06报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NTD20P06L

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= -15A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 48mΩ(Max)@VGS= -5V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

NTD20P06L-1

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= -15A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 48mΩ(Max)@VGS= -5V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

NTD20P06LT4G

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= -60V, ID= -20A RDS(ON)

Bychip

百域芯

NTD20P06-1G

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件：939.22 Kbytes Page：7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTD20P06HCT4G

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件：988.05 Kbytes Page：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTD20P06HD

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件：987.97 Kbytes Page：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTD20P06HLT4G

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件：987.97 Kbytes Page：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTD20P06L

Power MOSFET ??0 V, ??5.5 A, Single P?묬hannel, DPAK

文件：156.59 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD20P06L

Power MOSFET

文件：140.45 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD20P06L

单 P 沟道功率 MOSFET -60V，-15.5A，150mΩ

ONSEMI

安森美半导体

NTD20P06L

Power MOSFET

文件：93.13 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD20P06L

Power MOSFET ??0 V, ??5.5 A, Single P?묬hannel, DPAK

文件：119.94 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD20P06L_16

Power MOSFET

文件：93.13 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD20P06L-001

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件：939.17 Kbytes Page：7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTD20P06L-1

Power MOSFET ??0 V, ??5.5 A, Single P?묬hannel, DPAK

文件：119.94 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD20P06L-1G

Power MOSFET ??0 V, ??5.5 A, Single P?묬hannel, DPAK

文件：119.94 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD20P06L-1G

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件：939.09 Kbytes Page：7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTD20P06LG

Power MOSFET ??0 V, ??5.5 A, Single P?묬hannel, DPAK

文件：119.94 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD20P06LG

Power MOSFET

文件：93.13 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD20P06LG

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件：985.58 Kbytes Page：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTD20P06LT4

Power MOSFET ??0 V, ??5.5 A, Single P?묬hannel, DPAK

文件：119.94 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD20P06LT4G

Power MOSFET

文件：93.13 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD20P06LT4G

Power MOSFET ??0 V, ??5.5 A, Single P?묬hannel, DPAK

文件：119.94 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD20P06LT4G

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件：985.6 Kbytes Page：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

CEB20P06

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ -60V, -15A, RDS(ON) =105mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) =150mΩ @VGS = -4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package.

CET

华瑞

CEB20P06

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -60V, -14A, RDS(ON) =125mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RDS(ON) =175mW @VGS = -4.5V. Lead free product is acquired.

CET-MOS

华瑞

CED20P06

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ -60V, -13A, RDS(ON) = 105mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) = 150mΩ @VGS = -4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-251 & TO-252 package.

CET

华瑞

20P06

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件：988.36 Kbytes Page：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

CEB20P06

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件：441.65 Kbytes Page：4 Pages

CET

华瑞

NTD20P06产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTD20P06

  • 功能描述

    MOSFET -60V -15.5A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

NTD20P06供应商更多...

更新时间：2025-12-27 11:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市盈慧通电子有限公司
NTD20P06L-1G
ONSEMI/安森美
2511
DPAKTO-252
360000
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深圳市威尔健半导体有限公司
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全新原装正品现货,支持订货
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深圳市安富世纪电子有限公司
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全新原装正品现货,支持订货
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京海半导体(深圳)有限公司
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深圳市河锋鑫科技有限公司
NTD20P06L-1G
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深圳市一线半导体有限公司
NTD20P06L-1G
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DPAK3(SINGLEGAUGE
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