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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTD20P06L-1G | Power MOSFET ??0 V, ??5.5 A, Single P?묬hannel, DPAK 文件：119.94 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NTD20P06L-1G | P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：939.09 Kbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | |
isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= -15A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 48mΩ(Max)@VGS= -5V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
Power MOSFET ??0 V, ??5.5 A, Single P?묬hannel, DPAK 文件：119.94 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= -15.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 150mΩ(Max)@VGS= -5V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | |
NTD20P06L-1G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTD20P06L-1G
- 功能描述
MOSFET -60V -15.5A P-Channel
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
2511 |
DPAKTO-252 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
ONSEMI |
2016+ |
TO-252 |
2000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
O |
24+ |
TO-251 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
986966 |
国产 |
|||
VBsemi/台湾微碧 |
23+ |
TO-251 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
|||
ON |
23+ |
TO-251 |
40 |
正规渠道,只有原装! |
|||
VBsemi(台湾微碧) |
2447 |
TO-252 |
105000 |
2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
|||
VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
TO-251 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ON |
25+23+ |
TO-252 |
28832 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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2019-8-8
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