位置：首页 > IC中文资料第4549页 > NTB60N06LG
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTB60N06LG | Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts, Logic Level N?묬hannel TO??20 and D2PAK 文件：94.01 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
60 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 60N06 is N-channel enhancement mode power field effect transistors with stable off-state characteristics, fast switching speed, low thermal resistance, usually used at telecom and computer application. FEATURES * RDS(ON) ≤ 18mΩ @ VGS=10V, ID=30A * Ultra low gate charge ( ty | UTC 友顺 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The 60N06 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters | GOFORD 谷峰半导体 | | ||
60A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：316.43 Kbytes Page：8 Pages | UTC 友顺 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：284.8 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：983.43 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
NTB60N06LG产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTB60N06LG
- 功能描述
MOSFET 60V 60A N-Channel
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
TO-263 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|||
ON |
22+ |
TO-263 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
|||
O |
23+ |
D2PAK |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
ON |
2023+ |
D2PAK |
50000 |
原装现货 |
|||
ON Semiconductor |
23+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
8000 |
只做原装现货 |
|||
ON Semiconductor |
23+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
7000 |
||||
ON/安森美 |
24+ |
D2PAK |
20000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
ON/安森美 |
2447 |
D2PAK |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263-2 |
986966 |
国产 |
|||
ON |
24+ |
D2PAK3LEAD |
8866 |
NTB60N06LG规格书下载地址
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