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PHB60N06LT中文资料

厂家型号

PHB60N06LT

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9

功能描述

TrenchMOS transistor Logic level FET

数据手册

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生产厂商

PHI

PHB60N06LT数据手册规格书PDF详情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode, logic level, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology.

The device has very low on-state resistance. It is intended for use in dc to dc converters and general purpose switching applications.

The PHP60N06LT is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package.

The PHB60N06LT is supplied in the SOT404 surface mounting package.

FEATURES

• ’Trench’ technology

• Very low on-state resistance

• Fast switching

• Stable off-state characteristics

• High thermal cycling performance

• Low thermal resistance

更新时间:2026-8-1 10:12:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
25+
TO-263
20000
普通
PHI
20+
TO-263
32500
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