NTBG070N120M3S MOSFET

发布企业:深圳市鑫远鹏科技有限公司时间:2024-4-17 9:40:00

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onsemi 的 NTBG070N120M3S 是应用了 M3S 技术的 EliteSiC、65 mΩ、1200 V SiC MOSFET,采用 D2PAK-7L 封装
NTBG070N120M3S

onsemi NTBG070N120M3S 1200 V M3S SiC MOSFET 针对快速开关应用进行了优化。得益于平面技术,它们可以摆脱负栅极电压和栅极尖峰。NTBG070N120M3S MOSFET 在 18 V 时达到峰值性能,但在 15 V 时仍保持敏捷。

特性

具有开尔文源极配置的 D2PAK-7L 封装

优秀的 FOM (= RDS(ON) *_EOSS)

超低栅极电荷 (QG(tot) = 57 nC)

低电容高速开关 (COSS = 57 pF)

15 V 至 18 V 栅极驱动

M3S 技术:65 mΩ RDS(ON),低 Eon 和 Eoff 损耗

100%_通过雪崩测试

无卤素且符合 RoHS 规范

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 65mohm, 1200V, M3S, D2PAK-7L

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Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 65 mohm, 1200V, M3S, TO-247-3L

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2025-8-3 15:10:00
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