onsemi NTBG070N120M3S 1200 V M3S SiC MOSFET 针对快速开关应用进行了优化。得益于平面技术，它们可以摆脱负栅极电压和栅极尖峰。NTBG070N120M3S MOSFET 在 18 V 时达到峰值性能，但在 15 V 时仍保持敏捷。
特性
具有开尔文源极配置的 D2PAK-7L 封装
优秀的 FOM (= RDS(ON) *_EOSS)
超低栅极电荷 (QG(tot) = 57 nC)
低电容高速开关 (COSS = 57 pF)
15 V 至 18 V 栅极驱动
M3S 技术：65 mΩ RDS(ON)，低 Eon 和 Eoff 损耗
100%_通过雪崩测试
无卤素且符合 RoHS 规范
