NTBG014N120M3P 是一款 N-Ch 晶体管，由ON Semiconductor生产。以下是NTBG014N120M3P的主要特性和功能：
1. 高性能：NTBG014N120M3P采用先进的MOSFET技术，具有较低的导通电阻和好的开关速度，提供较高的效率和功率转换。
2. 高电流承受能力：NTBG014N120M3P能够承受高达 120A 的电流，适用于高功率应用。
3. 低导通电阻：该晶体管的导通电阻仅为 0.014Ω，能够减少功率损耗和热量产生，提高系统效率。
4. 耐高温：NTBG014N120M3P具有良好的高温特性，能够在高温环境下正常工作。
5. RoHS 兼容性：NTBG014N120M3P符合RoHS指令，不含有害物质，符合环保要求。
6. MOSFET 构造：NTBG014N120M3P 采用 N-Channel MOSFET 构造，具有好的低压控制特性，可用于 DC-DC 变换器、电源参考设计和高端电源电路等。
技術: SiC
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: D2PAK-7L
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 1.2 kV
Id - C連續漏極電流: 104 A
Rds On - 漏-源電阻: 20 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 10 V, + 22 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 4.63 V
Qg - 閘極充電: 337 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 454 W
通道模式: Enhancement
系列: NTBG014N120M3P
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
品牌: onsemi
配置: Single
下降時間: 14 ns
互導 - 最小值: 29 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 40 ns
800
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 74 ns
標準開啟延遲時間: 24 ns
