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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 52A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 30mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |   | ||
N-Channel Enhancement?묺ode D2PAK 文件：79.42 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel Enhancement?묺ode D2PAK 文件：79.42 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT52N10T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters | GOFORD 谷峰半导体 | | ||
Power MOSFET 60 Amps, 100 Volts 文件：164.86 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
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TO263 |
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D2PAK3LEAD |
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