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位置：首页 > IC中文资料第12456页 > NP23

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NP23N06YDG

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description The NP23N06YDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 27 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 11.5 A) • Low Ciss: Ciss = 1200 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) • Logic level drive type • Des

RENESAS

瑞萨

NP23N06YDG-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description The NP23N06YDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 27 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 11.5 A) • Low Ciss: Ciss = 1200 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) • Logic level drive type • Des

RENESAS

瑞萨

NP23N06YDG-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description The NP23N06YDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 27 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 11.5 A) • Low Ciss: Ciss = 1200 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) • Logic level drive type • Des

RENESAS

瑞萨

NP2300MR-Y-G

场效应管(MOSFET)

natlinear

南麟

NP2300SAMCT3G

50A, Ultra Low Capacitance TSPD

文件：141.67 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NP2300SAT3G

Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional

文件：52.51 Kbytes Page：5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NP2300SAT3G

封装/外壳：DO-214AA，SMB 包装：卷带（TR） 描述：THYRISTOR 190V 50A DO214AA 电路保护 TVS - 晶闸管

ONSEMI

安森美半导体

NP2300SBMCT3G

封装/外壳：DO-214AA，SMB 包装：卷带（TR） 描述：THYRISTOR 190V 250A DO214AA 电路保护 TVS - 晶闸管

ONSEMI

安森美半导体

NP2300SBMCT3G

80A, Ultra Low Capacitance TSPD

文件：135.7 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NP2300SBT3G

Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional

文件：52.51 Kbytes Page：5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NP2300SCMCT3G

100A, Ultra Low Capacitance TSPD

文件：139.88 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NP2300SCT3G

Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional

文件：52.51 Kbytes Page：5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NP2300SxT3G

Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional

ONSEMI

安森美半导体

NP2300VR

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

natlinear

南麟

NP236-102002-1

Pin Grid Array /Zero Insertion Force (PGA/ZIF - Interstitial)

文件：68.99 Kbytes Page：1 Pages

YAMAICHI

NP236-102002-2

Pin Grid Array /Zero Insertion Force (PGA/ZIF - Interstitial)

文件：68.99 Kbytes Page：1 Pages

YAMAICHI

NP23N06YDG

Product Scout Automotive

文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages

RENESAS

瑞萨

NP23N06YDG_15

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件：226.04 Kbytes Page：8 Pages

RENESAS

瑞萨

NP23产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NP23

  • 功能描述

    硅对称二端开关元件 LOW CAP TSPD SURGE DEVICE

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Bourns 转折电流

  • VBO

    40 V 最大转折电流

  • IBO

    800 mA

  • 不重复通态电流

    额定重复关闭状态电压

  • VDRM

    25 V

  • 关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）

    保持电流（Ih

  • 最大值）

    50 mA

  • 开启状态电压

    5 V 关闭状态电容

  • CO

    120 pF

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    DO-214AA

NP23供应商更多...

更新时间：2025-12-26 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
NP23N06YDG-E2-AY
RENESAS/瑞萨
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NA/
9273
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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中天科工半导体（深圳）有限公司
NP23N06YDG-E1-AY
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20300
RENESAS/瑞萨原装特价NP23N06YDG-E1-AY即刻询购立享优惠#长期有货
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深圳市星宇佳科技有限公司
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RENESAS/瑞萨
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9273
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RENESAS/瑞萨
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深圳市拓亿芯电子有限公司
NP23N06YDG-E2-AY
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深圳市赛美科科技有限公司
NP23N06YDG
RENESAS/瑞萨
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DFN5*6
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