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NP23N06YDG-E2-AY中文资料

厂家型号

NP23N06YDG-E2-AY

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226.04Kbytes

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8

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

RENESAS

NP23N06YDG-E2-AY数据手册规格书PDF详情

Description

The NP23N06YDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

Features

• Low on-state resistance

⎯ RDS(on) = 27 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 11.5 A)

• Low Ciss: Ciss = 1200 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V)

• Logic level drive type

• Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

• Small size package 8-pin HSON

更新时间:2026-2-9 19:57:00
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