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NP23N06YDG-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description The NP23N06YDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 27 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 11.5 A) • Low Ciss: Ciss = 1200 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) • Logic level drive type • Des

RENESAS

瑞萨

更新时间:2026-2-9 14:56:00
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