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NP23N06YDG-E1-AY中文资料
NP23N06YDG-E1-AY数据手册规格书PDF详情
Description
The NP23N06YDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
Features
• Low on-state resistance
⎯ RDS(on) = 27 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 11.5 A)
• Low Ciss: Ciss = 1200 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V)
• Logic level drive type
• Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
• Small size package 8-pin HSON
NP23N06YDG-E1-AY产品属性
- 类型
描述
- 型号
NP23N06YDG-E1-AY
- 功能描述
MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
-
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
更新时间：2025-10-17 17:21:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
8-HSON |
20300 |
RENESAS/瑞萨原装特价NP23N06YDG-E1-AY即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TDSON-8 |
1800 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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RENESAS |
24+ |
TDSON-8 |
5000 |
只做原装公司现货 |
|||
RENESAS |
12+PBF |
TDSON-8 |
1800 |
现货 |
|||
RENESAS |
12+ |
TDSON-8 |
1800 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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RENESAS |
23+ |
8-HSON |
3184 |
原厂原装正品 |
|||
RENESAS |
2023+ |
TDSON-8 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
RENESAS/瑞萨 |
20+ |
TDSON-8 |
32500 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
1800 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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- OMIHSH105L394
- OMIHSH105LM394
- OMIHSH124D300
- OMIHSS106D394
- OMIHSS106L300
- OZ-S-148D
- OZ-SH-105DF200
- OZ-SH-109DP200
- OZ-SH-124L
- OZ-SS-109LF
- OZ-SS-112LM200
- PS2513L-1-V-F3
- PS2535L-1-V
- PS2565-1-V
- R1LV0808ASB-7SI
- R2A20104FPW0
- RKZ22BKV
Datasheet数据表PDF页码索引
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