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NP23N06YDG

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description The NP23N06YDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 27 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 11.5 A) • Low Ciss: Ciss = 1200 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) • Logic level drive type • Des

RENESAS

瑞萨

NP23N06YDG

Product Scout Automotive

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description The NP23N06YDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 27 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 11.5 A) • Low Ciss: Ciss = 1200 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) • Logic level drive type • Des

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Description The NP23N06YDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 27 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 11.5 A) • Low Ciss: Ciss = 1200 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) • Logic level drive type • Des

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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Discrete IGBTs

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SIRECTIFIER

矽莱克电子

Discrete IGBTs

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SIRECT

矽莱克半导体

Discrete IGBTs

文件:112.84 Kbytes Page:2 Pages

SIRECT

矽莱克半导体

NP23N06YDG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NP23N06YDG

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

更新时间:2025-8-14 16:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
新年份
DFN5*6
33288
原装正品现货,实单带TP来谈!
RENESAS/瑞萨
24+
8-HSON
17500
郑重承诺只做原装进口现货
RENESAS/瑞萨
21+
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10000
原装现货假一罚十
RENESAS
12+PBF
TDSON-8
1800
现货
RENESAS/瑞萨
24+
8-HSON
8540
只做原装正品现货或订货假一赔十!
RENESAS/瑞萨
25+
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20300
RENESAS/瑞萨原装特价NP23N06YDG-E1-AY即刻询购立享优惠#长期有货
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24+
DFN5*6
505348
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
RENESAS/瑞萨
24+
TDSON-8
1800
只做原厂渠道 可追溯货源
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2022+
DFN56
30000
进口原装现货供应,原装 假一罚十
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20+
TDSON-8
32500
现货很近!原厂很远!只做原装

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