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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NP23N06YDG | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP23N06YDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 27 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 11.5 A) • Low Ciss: Ciss = 1200 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) • Logic level drive type • Des | RENESAS 瑞萨 |   | |
NP23N06YDG | Product Scout Automotive 文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages | RENESAS 瑞萨 | | |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP23N06YDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 27 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 11.5 A) • Low Ciss: Ciss = 1200 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) • Logic level drive type • Des | RENESAS 瑞萨 | | ||
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP23N06YDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 27 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 11.5 A) • Low Ciss: Ciss = 1200 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) • Logic level drive type • Des | RENESAS 瑞萨 | | ||
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：226.04 Kbytes Page：8 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
Discrete IGBTs 文件：109.19 Kbytes Page：2 Pages | SIRECTIFIER 矽莱克电子 | | ||
Discrete IGBTs 文件：112.84 Kbytes Page：2 Pages | SIRECT 矽莱克半导体 | | ||
Discrete IGBTs 文件：112.84 Kbytes Page：2 Pages | SIRECT 矽莱克半导体 | |
NP23N06YDG产品属性
- 类型
描述
- 型号
NP23N06YDG
- 制造商
RENESAS
- 制造商全称
Renesas Technology Corp
- 功能描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
2511 |
SON-85x6 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
8-HSON |
32813 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
24+ |
N/A |
56000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TDSON-8 |
1800 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
HSON-8 |
12500 |
瑞萨全系列在售,终端可出样品 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
DFN5*6 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
8-HSON |
17500 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
DFN5*6 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
1729+PB |
8-HSON |
684 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN5060 |
986966 |
国产 |
NP23N06YDG规格书下载地址
NP23N06YDG参数引脚图相关
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深圳市瑞智芯科技有限公司 联系人：彭先生 QQ：2851196982 直线：0755-82991809 手机：13787628849 邮箱：pc@szruizhixin.com 地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号： NP16N06QLK-E1-AY 类别 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Renesas Electronics America Inc 封装：8-PowerL
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2019-9-10
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