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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NE5550979A-T1 | Silicon Power LDMOS FET FEATURES • High Output Power : Pout = 39.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High power added efficiency : ηadd = 66 TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High Linear gain : GL = 22 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 200 mA, f = | RENESAS 瑞萨 |   | |
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Silicon Power LDMOS FET FEATURES • High Output Power : Pout = 39.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High power added efficiency : ηadd = 66 TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High Linear gain : GL = 22 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 200 mA, f = | RENESAS 瑞萨 | | ||
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封装/外壳：79A 包装：托盘 描述：FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | CEL | | ||
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NE5550979A-T1产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE5550979A-T1
- 制造商
California Eastern Laboratories(CEL)
- 功能描述
Trans RF MOSFET 30V 3A 4-Pin Case 79A T/R
- 制造商
California Eastern Laboratories(CEL)
- 功能描述
IC FET LDMOS 30V 3.0A 79A-PKG
- 制造商
California Eastern Laboratories
- 功能描述
Trans RF MOSFET 30V 3A 4-Pin Case 79A T/R
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
24+ |
CAN |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
|||
TI |
24+/25+ |
1082 |
原装正品现货库存价优 |
||||
RENESAS |
1010+ |
CAN |
700 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
S/PHI |
6000 |
面议 |
19 |
DIP |
|||
TI/TEXAS |
23+ |
DIP8SOP8 |
8931 |
||||
RENESAS |
24+ |
NA |
30617 |
一级代理全新原装热卖 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
2450+ |
79A |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
TI/德州仪器 |
23+ |
SOP8 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
RENESAS |
NA |
6784 |
正品原装--自家现货-实单可谈 |
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