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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NE5550979A-T1 | Silicon Power LDMOS FET FEATURES • High Output Power : Pout = 39.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High power added efficiency : ηadd = 66 TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High Linear gain : GL = 22 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 200 mA, f = | RENESAS 瑞萨 |   | |
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Silicon Power LDMOS FET FEATURES • High Output Power : Pout = 39.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High power added efficiency : ηadd = 66 TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High Linear gain : GL = 22 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 200 mA, f = | RENESAS 瑞萨 | | ||
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封装/外壳：79A 包装：托盘 描述：FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | CEL California Eastern Labs | | ||
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NE5550979A-T1产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE5550979A-T1
- 制造商
California Eastern Laboratories(CEL)
- 功能描述
Trans RF MOSFET 30V 3A 4-Pin Case 79A T/R
- 制造商
California Eastern Laboratories(CEL)
- 功能描述
IC FET LDMOS 30V 3.0A 79A-PKG
- 制造商
California Eastern Laboratories
- 功能描述
Trans RF MOSFET 30V 3A 4-Pin Case 79A T/R
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
1690 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
24+ |
N/A |
65000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
24+ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
||||
PHI/S |
24+ |
DIP16 |
120 |
||||
RENESAS |
SOP |
7880 |
原盒原包装现货原装假一罚十价优 |
||||
TI/TEXAS |
23+ |
DIP8SOP8 |
8931 |
||||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
79A |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
CEL |
22+ |
79A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
RENESAS |
79A |
185600 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
RENESAS |
24+ |
NA |
30617 |
一级代理全新原装热卖 |
NE5550979A-T1规格书下载地址
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