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NE5550979A-T1中文资料
NE5550979A-T1数据手册规格书PDF详情
FEATURES
• High Output Power : Pout = 39.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm)
• High power added efficiency : ηadd = 66 TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm)
• High Linear gain : GL = 22 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 10 dBm)
• High ESD tolerance : ESD tolerance > 8 kV (IEC61000-4-2, Contact discharge)
• Suitable for VHF to UHF-BAND Class-AB power amplifier.
APPLICATIONS
• 150 MHz Band Radio System
• 460 MHz Band Radio System
• 900 MHz Band Radio System
NE5550979A-T1产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE5550979A-T1
- 制造商
California Eastern Laboratories(CEL)
- 功能描述
Trans RF MOSFET 30V 3A 4-Pin Case 79A T/R
- 制造商
California Eastern Laboratories(CEL)
- 功能描述
IC FET LDMOS 30V 3.0A 79A-PKG
- 制造商
California Eastern Laboratories
- 功能描述
Trans RF MOSFET 30V 3A 4-Pin Case 79A T/R
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
79A |
33500 |
全新进口原装现货,假一罚十 |
|||
RENESAS |
NA |
6784 |
正品原装--自家现货-实单可谈 |
||||
Renesas |
23+ |
NA |
10658 |
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理QQ1304306553 |
|||
RENESAS |
24+ |
NA |
30617 |
一级代理全新原装热卖 |
|||
RENESAS |
SOP |
7880 |
原盒原包装现货原装假一罚十价优 |
||||
RENESAS |
23+ |
高频管 |
2390 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
RENESAS |
24+ |
CAN |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
|||
RENESAS |
22+23+ |
CAN |
8000 |
新到现货，只做原装进口 |
|||
RENESAS |
16+ |
79A |
80 |
原装 |
|||
RENESAS |
24+ |
高频管 |
2390 |
进口原装 |
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Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司
中文资料: 115107条
瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）是一家全球领先的半导体解决方案供应商，总部位于日本东京。公司成立于2002年，由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成，专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案，广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器（MCUs）、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力，提供车载MCU、传感器和网络解决方案，支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构，产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区，致力于为
