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NE5550979A-T1中文资料

厂家型号

NE5550979A-T1

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功能描述

Silicon Power LDMOS FET

Trans RF MOSFET 30V 3A 4-Pin Case 79A T/R

数据手册

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生产厂商

RENESAS

NE5550979A-T1数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• High Output Power : Pout = 39.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm)

• High power added efficiency : ηadd = 66 TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm)

• High Linear gain : GL = 22 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 10 dBm)

• High ESD tolerance : ESD tolerance > 8 kV (IEC61000-4-2, Contact discharge)

• Suitable for VHF to UHF-BAND Class-AB power amplifier.

APPLICATIONS

• 150 MHz Band Radio System

• 460 MHz Band Radio System

• 900 MHz Band Radio System

NE5550979A-T1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE5550979A-T1

  • 制造商

    California Eastern Laboratories(CEL)

  • 功能描述

    Trans RF MOSFET 30V 3A 4-Pin Case 79A T/R

  • 制造商

    California Eastern Laboratories(CEL)

  • 功能描述

    IC FET LDMOS 30V 3.0A 79A-PKG

  • 制造商

    California Eastern Laboratories

  • 功能描述

    Trans RF MOSFET 30V 3A 4-Pin Case 79A T/R

更新时间:2025-10-5 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
24+
79A
33500
全新进口原装现货,假一罚十
RENESAS
NA
6784
正品原装--自家现货-实单可谈
Renesas
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全新原装正品,现货销售