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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NE5550979A-T1A | Silicon Power LDMOS FET FEATURES • High Output Power : Pout = 39.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High power added efficiency : ηadd = 66 TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High Linear gain : GL = 22 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 200 mA, f = | RENESAS 瑞萨 |   | |
NE5550979A-T1A | Silicon Power LDMOS FET 文件：1.15258 Mbytes Page：12 Pages | CEL California Eastern Labs | | |
NE5550979A-T1A | Silicon Power LDMOS FET 文件：784.88 Kbytes Page：13 Pages | RENESAS 瑞萨 | | |
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Silicon Power LDMOS FET FEATURES • High Output Power : Pout = 39.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High power added efficiency : ηadd = 66 TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High Linear gain : GL = 22 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 200 mA, f = | RENESAS 瑞萨 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
4095 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
24+ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
||||
TI/TEXAS |
23+ |
DIP8SOP8 |
8931 |
||||
RENESAS |
24+ |
CAN |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
|||
PHI/S |
24+ |
DIP16 |
120 |
||||
RENESAS |
24+ |
高频管 |
16900 |
原装正品现货支持实单 |
|||
RENESAS |
1923+ |
SOP |
7880 |
原盒原包装现货原装假一罚十价优 |
|||
RENESAS |
24+ |
NA |
30617 |
一级代理全新原装热卖 |
|||
RENESAS |
23+ |
高频管 |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
RENESAS |
1010+ |
CAN |
700 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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