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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NE5550979A-T1-A | Silicon Power LDMOS FET 文件：1.15258 Mbytes Page：12 Pages | CEL |   | |
NE5550979A-T1-A | Silicon Power LDMOS FET 文件：790.36 Kbytes Page：13 Pages | RENESAS 瑞萨 | | |
NE5550979A-T1-A | 封装/外壳：79A 包装：托盘 描述：FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | CEL | | |
Silicon Power LDMOS FET FEATURES • High Output Power : Pout = 39.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High power added efficiency : ηadd = 66 TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High Linear gain : GL = 22 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 200 mA, f = | RENESAS 瑞萨 | | ||
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Silicon Power LDMOS FET 文件：1.15258 Mbytes Page：12 Pages | CEL | | ||
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Silicon Power LDMOS FET FEATURES • High Output Power : Pout = 39.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High power added efficiency : ηadd = 66 TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High Linear gain : GL = 22 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 200 mA, f = | RENESAS 瑞萨 | |
NE5550979A-T1-A产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE5550979A-T1-A
- 制造商
California Eastern Laboratories(CEL)
- 功能描述
Trans RF MOSFET 30V 3A 4-Pin Case 79A T/R
- 制造商
California Eastern Laboratories(CEL)
- 功能描述
IC FET LDMOS 30V 3.0A 79A-PKG
- 制造商
California Eastern Laboratories
- 功能描述
Trans RF MOSFET 30V 3A 4-Pin Case 79A T/R
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
23+ |
高频管 |
2390 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
RENESAS |
24+ |
CAN |
8000 |
新到现货，只做全新原装正品 |
|||
Renesas |
23+ |
NA |
10658 |
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价，原装元器件供应，支持开发样品 |
|||
TI |
24+/25+ |
1082 |
原装正品现货库存价优 |
||||
RENESAS |
23+ |
高频管 |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
RENESAS |
1010+ |
CAN |
700 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
24+ |
N/A |
62000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
79A |
60000 |
全新原装现货 |
|||
RENESAS |
25+ |
高频管 |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
|||
RENESAS |
24+ |
高频管 |
16900 |
原装正品现货支持实单 |
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