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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NE5550979A-T1A-A | Silicon Power LDMOS FET 文件：790.36 Kbytes Page：13 Pages | RENESAS 瑞萨 |   | |
NE5550979A-T1A-A | Silicon Power LDMOS FET 文件：1.15258 Mbytes Page：12 Pages | CEL California Eastern Labs | | |
Silicon Power LDMOS FET FEATURES • High Output Power : Pout = 39.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High power added efficiency : ηadd = 66 TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High Linear gain : GL = 22 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 200 mA, f = | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon Power LDMOS FET 文件：784.88 Kbytes Page：13 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon Power LDMOS FET 文件：790.36 Kbytes Page：13 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon Power LDMOS FET 文件：1.15258 Mbytes Page：12 Pages | CEL California Eastern Labs | | ||
Silicon Power LDMOS FET FEATURES • High Output Power : Pout = 39.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High power added efficiency : ηadd = 66 TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High Linear gain : GL = 22 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 200 mA, f = | RENESAS 瑞萨 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞萨)/IDT |
24+ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
||||
恩XP |
24+ |
DIP |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
TI |
24+/25+ |
1082 |
原装正品现货库存价优 |
||||
恩XP |
1226+ |
DIP |
1 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
S |
23+ |
CAN8 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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TI/德州仪器 |
1601+ |
DIP8 |
90 |
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TI/德州仪器 |
23+ |
SOP8 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
SIG |
23+ |
NA |
137 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
TI/TEXAS |
23+ |
DIP8SOP8 |
8931 |
||||
ST |
23+ |
DIP |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
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