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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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NE5550979A-T1A-A | Silicon Power LDMOS FET 文件：790.36 Kbytes Page：13 Pages | RENESAS 瑞萨 |   | |
NE5550979A-T1A-A | Silicon Power LDMOS FET 文件：1.15258 Mbytes Page：12 Pages | CEL | | |
Silicon Power LDMOS FET FEATURES • High Output Power : Pout = 39.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High power added efficiency : ηadd = 66 TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High Linear gain : GL = 22 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 200 mA, f = | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon Power LDMOS FET 文件：784.88 Kbytes Page：13 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon Power LDMOS FET 文件：790.36 Kbytes Page：13 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon Power LDMOS FET 文件：1.15258 Mbytes Page：12 Pages | CEL | | ||
Silicon Power LDMOS FET FEATURES • High Output Power : Pout = 39.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High power added efficiency : ηadd = 66 TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High Linear gain : GL = 22 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 200 mA, f = | RENESAS 瑞萨 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
2023+ |
DIP8 |
6895 |
原厂全新正品旗舰店优势现货 |
|||
SIG |
23+ |
NA |
137 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
24+ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
||||
TI/德州仪器 |
1601+ |
DIP8 |
90 |
||||
TI/德州仪器 |
25+ |
SOP8 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
TI/TEXAS |
NEW |
DIP8SOP8 |
8931 |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
|||
TI/德州仪器 |
24+ |
DIP8 |
90 |
只供应原装正品 欢迎询价 |
|||
ST |
23+ |
DIP |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
|||
恩XP |
24+ |
DIP |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
|||
Renesas |
23+ |
NA |
10658 |
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价，原装元器件供应，支持开发样品 |
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2019-3-26
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