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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NE321000

CtoKaBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FETCHIP

DESCRIPTION TheNE321000isHeteroJunctionFETthatutilizestheheterojunctiontocreatehighmobilityelectrons.ItsexcellentlownoiseandassociatedgainmakeitsuitableforDBSandanothercommercialsystems,industrialandspaceapplications. FEATURES •SuperLowNoiseFigure&Hi

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC
NE321000

ULTRALOWNOISEPSEUDOMORPHICHJFET

DESCRIPTION NECsNE321000isaHetero-JunctionFETchipthatutilizesthejunctionbetweenSi-dopedAlGaAsandundopedInGaAstocreatehighelectronmobility.Itsexcellentlownoisefigureandhighassociatedgainmakeitsuitableforcommercial,industrialandspaceapplications. NECsstringe

CEL

California Eastern Labs

CEL
NE321000

HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNE321000isHeteroJunctionFETthatutilizestheheterojunctiontocreatehighmobilityelectrons.Its excellentlownoiseandassociatedgainmakeitsuitableforDBSandanothercommercialsystems,industrialand spaceapplications. FEATURES •SuperLowNoiseFigure&High

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
NE321000

ULTRALOWNOISEPSEUDOMORPHICHJFET

文件：135.99 Kbytes Page：6 Pages

CEL

California Eastern Labs

CEL
NE321000_01

ULTRALOWNOISEPSEUDOMORPHICHJFET

文件：135.99 Kbytes Page：6 Pages

CEL

California Eastern Labs

CEL
HYM321000S

1Mx32-BitDynamicRAMModule2Mx16-BitDynamicRAMModule

TheHYM321000S/GS-50/-60isa4MByteDRAMmoduleorganizedas1048576wordsby32-bitina72-pinsingle-in-linepackagecomprisingtwoHYB5118160BSJ1M×16DRAMsin400milwideSOJ-packagesmountedtogetherwithtwo0.2µFceramicdecouplingcapacitorsonaPCboard. AdvancedInformation

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西门子德国西门子股份公司

SIEMENS

NE321000产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE321000

  • 制造商

    CEL

  • 制造商全称

    CEL

  • 功能描述

    ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET

NE321000供应商更多...

更新时间：2025-7-24 15:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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NE321000
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NE3210S01
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    NE3512S02-T1C-A，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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    NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291，

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