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NE321000中文资料

厂家型号

NE321000

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215.03Kbytes

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14

功能描述

HETERO JUNCTION FIELDEFFECT TRANSISTOR

ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET

数据手册

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生产厂商

Renesas Technology Corp

简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

LOGO

NE321000数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The NE321000 is Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its

excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems, industrial and

space applications.

FEATURES

• Super Low Noise Figure & High Associated Gain

NF = 0.35 dB TYP. Ga = 13.5 dB TYP. @ f = 12 GHz

• Gate Length: Lg £ 0.20 mm

• Gate Width : Wg = 160 mm

NE321000产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE321000

  • 制造商

    CEL

  • 制造商全称

    CEL

  • 功能描述

    ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET

更新时间:2025-5-19 8:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CEL
23+
原厂原包
19960
只做进口原装 终端工厂免费送样
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公司存货
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Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司

中文资料: 113842条

瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司成立于2002年,由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成,专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案,广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器(MCUs)、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力,提供车载MCU、传感器和网络解决方案,支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构,产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区,致力于为