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NDD02N60价格
参考价格：￥1.4335
型号：NDD02N60Z-1G 品牌：ONSemi 备注：这里有NDD02N60多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NDD02N60批发/采购报价，NDD02N60行情走势销售排行榜，NDD02N60报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 2.2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |   | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 2.2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.8 文件：146.41 Kbytes Page：10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
功率 MOSFET，600V，2.2A，4.8Ω，单 N 沟道，DPAK | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET 文件：1.08208 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.0 文件：168.55 Kbytes Page：10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：148.07 Kbytes Page：10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：148.07 Kbytes Page：10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.0 文件：168.55 Kbytes Page：10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel 650V (D-S) MOSFET 文件：1.08607 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.77774 Mbytes Page：5 Pages | DOINGTER 杜因特 | | ||
N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.70191 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.70195 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.70167 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.70169 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：701.78 Kbytes Page：6 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | |
NDD02N60产品属性
- 类型
描述
- 型号
NDD02N60
- 功能描述
MOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
DPAK |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
ON |
24+ |
TO251 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
ON/安森美 |
24+ |
TO-251 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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ON/安森美 |
2450+ |
TO-251 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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ON |
24+ |
TO251 |
39500 |
进口原装现货 支持实单价优 |
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ON |
24+ |
TO-251-3 |
39500 |
||||
ON/安森美 |
2447 |
TO-251 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
ON |
22+ |
TO251 |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
|||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
TO251 |
22055 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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